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SiR404DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
64
4 8
32
16
V GS = 10 V thr u 3 V
10
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0025
0.0021
0.0017
0.0013
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
10 000
8 000
6000
4000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0009
0.0005
2000
0
C rss
C oss
0
16
32
4 8
64
8 0
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
8
1.5
V GS = 10 V
6
V DS = 10 V
4
V DS = 5 V
1.2
V GS = 2.5 V
V DS = 15 V
0.9
2
0
0.6
0
30
60
90
120
150
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64815
S09-0873-Rev. A, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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